- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設(shè)備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設(shè)備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
本產(chǎn)品為專為高真空設(shè)計的桌面型小型蒸發(fā)鍍膜儀，可提供*大100A的鍍膜電流，*大蒸發(fā)溫度可達1800℃，能夠滿足各種常見金屬的蒸鍍及部分非金屬蒸鍍。真空腔體采用不不銹鋼制作，出廠經(jīng)過除氣處理，配合分子泵組可達到5x10-5Pa極限真空，能夠滿足絕大部分材料蒸發(fā)所需的真空環(huán)境。真空腔體采用前開門開啟方式，便于取放樣，腔體上配置有帶擋板的適應(yīng)觀察窗，用于觀察鍍膜過程，擋板則可以有效防止觀察窗被膜料污染.
蒸發(fā)鍍膜儀產(chǎn)品特點：
高純度薄膜：由于在高真空條件下進行，減少了氣體分子與蒸發(fā)材料的碰撞，從而能夠制備出高純度的薄膜。**控制：蒸發(fā)鍍膜技術(shù)允許對薄膜的厚度、成分和結(jié)構(gòu)進行**控制，這在許多高精度應(yīng)用中至關(guān)重要。
適用多種材料：蒸發(fā)鍍膜技術(shù)可以用于多種材料，包括金屬、合金、氧化物、碳化物、氮化物以及有機材料等。
高沉積速率：特別是使用電子束蒸發(fā)時，由于高能量的電子束能夠快速加熱材料，可以實現(xiàn)高沉積速率。
均勻性：通過適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)調(diào)整，可以在大面積基底上獲得均勻的薄膜。
低損傷：由于加熱主要集中在蒸發(fā)材料上，對基底的熱影響較小，適用于熱敏材料的薄膜沉積。
蒸發(fā)鍍膜儀技術(shù)對數(shù)：
|
參數(shù)名稱 |
參數(shù)說明 |
||
|
產(chǎn)品名稱 |
前開門臺式蒸發(fā)鍍膜儀 |
||
|
產(chǎn)品型號 |
CY-EVZ254-I-H-SS |
CY-EVZ254-II-HH-SS |
|
|
真空腔體 |
腔體材質(zhì) |
304不銹鋼焊接而成，表面做拋光處理 |
|
|
取放模式 |
前開門方式取放樣品和蒸鍍材料 |
||
|
觀察窗 |
直徑80mm真空窗口，配有磁力擋板，防止污染 |
||
|
樣品臺 |
樣品尺寸 |
直徑≦100mm的平面樣品均可 |
|
|
旋轉(zhuǎn)速度 |
分不旋轉(zhuǎn)和旋轉(zhuǎn)型（0-20RPM） |
||
|
加熱溫度 |
≦1800℃ |
||
|
蒸發(fā)系統(tǒng) |
蒸發(fā)源 |
鎢絲籃或塢舟 1個 |
|
|
樣品臺蒸發(fā)源距離 |
60-100mm 可調(diào) |
||
|
鍍膜方式 |
熱蒸發(fā)鍍膜 |
||
|
真空系統(tǒng) |
抽氣接口：KF25/40, 排氣接口： KF16 |
||
|
復(fù)合真空計，電阻規(guī)+電離規(guī) |
|||
|
前級泵 |
旋片泵 抽速： 1.1L/S |
||
|
分子泵 |
抽速： 62L/S (大阪分子泵) |
||
|
膜厚測量 |
通常配CYKY膜厚測量儀 （可選） |
||
|
也可選配進口品牌，價格額外計算 |
|||
|
供電電壓 |
AC220V,50Hz |
||
|
整機功率 |
2KW |
||
|
外形尺寸 |
750mm X 450mm X750mm |
||
|
包裝重量 |
70 KG |
||
